热电堆感受辐射，MLX90616为什么还另测芯片温度

红外测温芯片最后给出数字温度，不代表感测起点就是一项现成的对象温度数字。Melexis的MLX90616ESF-HCA数据表，在第24页8.7节先介绍热电堆结构，再介绍片上的温度传感器与内部DSP。把这些环节连起来，才能看清两类感测信息怎样进入温度输出。

该节说，红外传感器由串联热电偶组成，冷接点位于较厚的芯片基底，热接点位于薄膜上。两个名称对应不同位置，并不是同一片区域的两种写法。原文随后描述，薄膜吸收红外辐射后会升温或降温；本篇保留这组文字，没有把它缩成“受到辐射就始终加热”。

薄膜的辐射响应与厚基底的位置关系，使芯片自身的温度进入原理说明。8.7节将To解释为对象的绝对温度，将Ta解释为传感器芯片的绝对温度，热电堆输出关系同时涉及二者。因此，热电堆信号不能脱离芯片状态，被直接改称为一项已经独立确定的对象温度。本篇只采用变量的文字身份，不转写或计算页内方程。

为了取得芯片温度，文档明确另列一个片上温度传感器。8.7.1继续说明，芯片温度由PTC或PTAT元件测量。这里增加的不是对同一个远处对象再测一次，而是取得传感器本体的信息。辐射感测与芯片测温共同出现，正是该节解释后续计算所需输入的方式。

在两类传感器输出都被测量之后，文档说可以计算对应的环境温度与对象温度。计算由内部DSP完成，并产生与所测温度成线性关系的数字输出。由此阅读数据表，热电堆输出、芯片温度信息和最终数字结果各处于不同环节；仅因为最终结果是数字，就把前面的感测结构全部省去，会失去这份原理说明的具体内容。

8.7.3还将测量、补偿与线性化列为片内持续处理的工作。它描述的是芯片怎样处理已有感测信息，没有让使用者凭一个功能名称确定真实对象此刻的温度，也没有让本文取得任何仪表的实测记录。理解这条链，有助于辨认手册是在谈探测信号、本体状态还是计算结果，而不是把三者都统称为一个读数。

本篇限定Rev 002、2012年8月20日版本的第24页连续原理文字，并读了相邻章节标题；没有读完36页数据表或根据图表补事实。修订日期不作为已确认首发日，sources日期保持空。寄存器换算、参数写入、校准、高温及医用应用都不在采用范围内。